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PHN210,118

更新时间:2025-05-20 00:53:03
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PHN210,118外观图

PHN210,118

NXP Semiconductors FET - 阵列

MOSFET NCH DL TRENCH 8SOIC

  • 封装:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
PHN210,118 规格参数
  • 标准包装
    10,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    TrenchMOS™
  • FET 型
    2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    3.4A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    100 毫欧 @ 2.2A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    2.8V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    6nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    250pF @ 20V
  • 功率 - 最大
    2W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装
    8-SO
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    934033430118PHN210 /T3PHN210 /T3-ND
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