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PHT2NQ10T,135

更新时间:2025-05-15 22:40:34
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PHT2NQ10T,135外观图

PHT2NQ10T,135

NXP Semiconductors FET - 单

MOSFET N-CH 100V 2.5A SOT223

  • 封装:TO-261-4，TO-261AA
PHT2NQ10T,135 规格参数
  • 标准包装
    4,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    TrenchMOS™
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    2.5A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    430 毫欧 @ 1.75A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    4V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    5.1nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    160pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    6.25W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-261-4，TO-261AA
  • 供应商设备封装
    SC-73
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    934056839135PHT2NQ10T /T3PHT2NQ10T /T3-ND
芯知识
1.7万
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广东微尔科技有限公司
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