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PIMT1,115

更新时间:2025-05-21 23:32:08
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PIMT1,115外观图

PIMT1,115

NXP Semiconductors 晶体管(BJT) - 阵列

TRANS PNP 40V 100MA SOT457

  • 封装:SC-74，SOT-457
PIMT1,115 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    2 PNP（双）
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    40V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    200mV @ 5mA，50mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    -
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    120 @ 1mA，6V
  • 功率 - 最大
    600mW
  • 频率 - 转换
    100MHz
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    SC-74，SOT-457
  • 供应商设备封装
    6-TSOP
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    934056662115PIMT1 T/RPIMT1 T/R-ND
芯知识
3.3万
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苏州固锝电子股份有限公司
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