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PMBT3906YS,115

更新时间:2025-05-17 05:58:10
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PMBT3906YS,115外观图

PMBT3906YS,115

NXP Semiconductors 晶体管(BJT) - 阵列

TRANS PNP/PNP 40V 200MA SOT363

  • 封装:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
PMBT3906YS,115 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    2 PNP（双）
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    200mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    40V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    400mV @ 5mA，50mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    -
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    100 @ 10mA，1V
  • 功率 - 最大
    350mW
  • 频率 - 转换
    250MHz
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商设备封装
    6-TSSOP
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    934061455115PMBT3906YS T/RPMBT3906YS T/R-ND
芯知识
3.7万
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广东微尔科技有限公司
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