PMPB10UPX是由Nexperia公司生产的一款单通道P沟道增强型MOSFET。该器件采用超小尺寸的无引脚封装，非常适合在空间受限的应用中使用。其最大漏源电压为-20V，在2.5V栅极驱动下的导通电阻典型值仅为36mΩ，具有低导通损耗的优势。这款MOSFET适用于便携式设备、智能手机和平板电脑等对尺寸和功耗要求较高的应用场合。在电路设计中，可以用于电源管理单元中的负载开关或者DC-DC转换器的同步整流管。使用时需注意遵循推荐的PCB布局指南以确保最佳热性能，并且避免超过器件的最大额定参数以免造成损坏。由于其封装特性，在手工焊接过程中需要特别小心以防止对器件造成损害。

PMPB10UPX 规格参数

现有数量
0现货
系列
-
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
11.5 毫欧 @ 10A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
40 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2200 pF @ 6 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.7W（Ta），13mW（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DFN2020MD-6
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘

芯知识

3.1万

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广东微尔科技有限公司

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PMPB10UPX

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