PMPB11R2VPX是由Nexperia公司生产的一款P沟道增强型MOSFET。它采用无铅超薄SOT457封装，具有低导通电阻特性。该MOSFET的最大漏源电压为-12V，在栅极驱动电压为-4.5V时，其最大连续漏极电流可达-1.2A。此款MOSFET适用于电池供电设备、负载开关以及电源管理等应用场景。在便携式电子设备中，可用于控制电源的通断以节省能耗。由于其封装尺寸较小，非常适合对空间有严格要求的产品设计。在实际应用中，要注意合理设置栅极驱动电路以确保可靠开启和关闭MOSFET，避免因栅极悬空导致误动作。例如，在简单的负载开关电路中，可将控制信号连接到栅极，并通过合适的限流电阻与MCU引脚相连，源极接电源输入端，漏极接负载一端，负载另一端接地。

PMPB11R2VPX 规格参数

现有数量
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系列
TrenchMOS?
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
14 毫欧 @ 9.7A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
39 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2230 pF @ 6 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.9W（Ta），12.5W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DFN2020MD-6
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘

芯知识

1.3万

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广东微尔科技有限公司

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PMPB11R2VPX

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