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PMT21EN,115

更新时间:2025-07-07 08:14:38
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PMT21EN,115外观图

PMT21EN,115

NXP Semiconductors FET - 单

MOSFET N-CH 30V SC-73

  • 封装:TO-261-4，TO-261AA
PMT21EN,115 规格参数
  • 标准包装
    1,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    -
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    7.4A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    21 毫欧 @ 7.4A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    14.4nC @ 15V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    588pF @ 15V
  • 功率 - 最大
    820mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-261-4，TO-261AA
  • 供应商设备封装
    SC-73
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    PMT21EN115
芯产品
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广东微尔科技有限公司
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