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PMWD16UN,518

更新时间:2025-05-23 21:15:56
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PMWD16UN,518外观图

PMWD16UN,518

NXP Semiconductors FET - 阵列

MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 8TSSOP

  • 封装:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
PMWD16UN,518 规格参数
  • 标准包装
    1
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    TrenchMOS™
  • FET 型
    2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    9.9A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    19 毫欧 @ 3.5A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    700mV @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    23.6nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    1366pF @ 16V
  • 功率 - 最大
    3.1W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
  • 供应商设备封装
    8-TSSOP
  • 包装
    Digi-Reel?
  • 其它名称
    568-2360-6
芯产品
1.2万
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广东微尔科技有限公司
PMWD16UN,518推荐型号
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