PSMN2R0-25MLDX是由Nexperia公司生产的MOSFET。这款MOSFET采用LFPAK56封装，具有低导通电阻特性，在栅源电压为4.5V时典型导通电阻仅为2mΩ。它专为高效率和高功率密度应用设计。该产品适用于多种应用场景如电源管理、同步整流以及电池管理系统等。在电源管理中，它可以高效地控制电流的通断以减少能量损耗；对于同步整流应用，其快速的开关速度有助于提高整体电路效率；在电池管理系统里，它的低导通电阻能减小发热量并提高系统可靠性。使用时应注意遵循正确的驱动电压范围，确保栅极驱动电路稳定可靠，并且要注意散热设计以保证器件在额定功率下正常工作。例如在实际电路设计中，可以将其与合适的驱动芯片搭配使用来实现高效的电源转换电路。

PSMN2R0-25MLDX 规格参数

现有数量
8,805现货
系列
-
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.27 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
34.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2490 pF @ 12 V
FET 功能
肖特基二极管（体）
功率耗散（最大值）
74W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
LFPAK33
封装/外壳
SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）

芯知识

3.3万

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苏州固锝电子股份有限公司

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PSMN2R0-25MLDX

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