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PZM8.2NB2A,115

更新时间:2025-05-16 18:07:07
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PZM8.2NB2A,115外观图

PZM8.2NB2A,115

NXP Semiconductors 单二极管/齐纳

DIODE ZENER 8.2V 300MW SOT346

  • 封装:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PZM8.2NB2A,115 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    单二极管/齐纳
  • 系列
    -
  • 电压 - 齐纳（标称）(Vz)
    8.2V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）
    1.1V @ 100mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电
    700nA @ 5V
  • 容差
    ±2%
  • 功率 - 最大
    300mW
  • 阻抗（最大）(Zzt)
    10 欧姆
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装
    SMT3
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 工作温度
    -65°C ~ 150°C
  • 其它名称
    934055362115PZM8.2NB2A T/RPZM8.2NB2A T/R-ND
芯知识
5.4万
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