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QPD2018D

更新时间:2025-06-09 23:45:18

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QPD2018D 概述

QPD2018D是MACOM公司生产的一款氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。该器件采用DFN封装，具有低寄生电感和小尺寸特点，适用于高效功率放大应用。这款晶体管工作电压48V，可在S波段频率范围内提供优异的性能。其主要应用于无线通信基础设施、雷达系统以及工业科学医疗(ISM)频段等射频功率放大场景。特别适合设计紧凑型、高性能射频功率放大器模块，在提高效率的同时减少热管理需求。在使用时应注意适当的PCB布局以优化散热性能，并遵循制造商推荐的偏置条件以确保最佳工作状态。建议在设计时参考官方提供的典型应用电路，通常用于AB类或Doherty放大器拓扑结构中，可实现高增益和线性度。

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