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R6025FNZC8

更新时间:2025-05-22 18:38:47
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R6025FNZC8 规格参数
  • 品牌：Rohm Semiconductor
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
  • 包装：360/管件
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：600V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：25A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
  • 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：180 毫欧 @ 12.5A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：85nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：3500pF @ 25V
  • 功率耗散（最大值）：150W（Tc）
  • 工作温度：150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 供应商器件封装：TO-3PF
  • 封装/外壳：TO-3P-3 整包
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