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R8002ANX

更新时间:2025-05-27 04:03:40
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R8002ANX外观图

R8002ANX

ROHM Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM

  • 封装:TO-220-3 整包
R8002ANX 规格参数
  • 标准包装
    500
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    -
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    800V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    2A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    4.3 欧姆 @ 1A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    12.7nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    210pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    35W
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装
    TO-220FM
  • 包装
    散装
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苏州固锝电子股份有限公司
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