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RE1C002ZPMGTL

更新时间:2025-06-16 16:01:10
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RE1C002ZPMGTL 规格参数
  • 品牌：Rohm Semiconductor
  • 描述：MOSFET P-CH 20V 200MA SC-89
  • 包装：3000/标准卷带
  • FET 类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：200mA（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 100μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：1.4nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：±10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：115pF @ 10V
  • 功率耗散（最大值）：150W（Ta）
  • 工作温度：150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：EMT3F（SOT-416FL）
  • 封装/外壳：SC-89，SOT-490
芯知识
5.3万
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广东微尔科技有限公司
RE1C002ZPMGTL推荐型号
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