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RF18N100F500CT

更新时间:2025-06-07 12:27:03

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RF18N100F500CT 概述

RF18N100F500CT是来自Rohm Semiconductor的一款高性能N沟道MOSFET。该器件设计用于高效率电源管理应用，具备低导通电阻和快速开关特性，有助于减少功率损耗并提升系统整体效率。其最大漏源电压为100V，适合在工业控制、电机驱动以及不间断电源（UPS）等需要高电压处理能力的场合使用。在电路设计中，建议注意栅极驱动电压的选择以确保MOSFET完全导通，同时考虑散热设计以维持工作温度在安全范围内。对于高频应用，还需优化PCB布局以最小化寄生电感影响。此型号因其可靠性和性能，在电力电子领域内得到广泛应用。

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