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RGT80TS65DGC11

更新时间:2025-05-21 14:00:07
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RGT80TS65DGC11 规格参数
  • 品牌：Rohm Semiconductor
  • 描述：IGBT 650V 70A 234W TO-247N
  • 包装：30/管件
  • IGBT 类型：沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）：650V
  • 电流 - 集电极（Ic）（最大值）：70A
  • 脉冲电流 - 集电极 (Icm)：120A
  • 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）：2.1V @ 15V，40A
  • 功率 - 最大值：234W
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：79nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值：34ns/119ns
  • 测试条件：400V，40A，10 欧姆，15V
  • 反向恢复时间（trr）：58ns
  • 工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-247-3
  • 供应商器件封装：TO-247N
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芯知识
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