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RGW80TS65DGC11

更新时间:2025-05-21 01:29:31
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RGW80TS65DGC11 规格参数
  • 现有数量
    438现货
  • 系列
    -
  • 包装
    管件
  • 产品状态
    不适用于新设计
  • IGBT 类型
    沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
    650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
    78 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)
    160 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）
    1.9V @ 15V，40A
  • 功率 - 最大值
    214 W
  • 开关能量
    760μJ（开），720μJ（关）
  • 输入类型
    标准
  • 栅极电荷
    110 nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值
    44ns/143ns
  • 测试条件
    400V，40A，10 欧姆，15V
  • 反向恢复时间 (trr)
    92 ns
  • 工作温度
    -40°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-247-3
  • 供应商器件封装
    TO-247N
芯知识
9792
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广东微尔科技有限公司
RGW80TS65DGC11推荐型号

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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