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RJP020N06

更新时间:2025-06-10 12:59:19
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RJP020N06 规格参数
  • 典型关断延迟时间
    40 ns
  • 典型接通延迟时间
    8 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs
    5 nC V @ 4
  • 典型输入电容值@Vds
    160 pF V @ 10
  • 安装类型
    表面贴装
  • 宽度
    2.5mm
  • 封装类型
    MPT
  • 尺寸
    4.5 x 2.5 x 1.5mm
  • 引脚数目
    4
  • 最大功率耗散
    2000 mW
  • 最大栅源电压
    ±12 V
  • 最大漏源电压
    60 V
  • 最大漏源电阻值
    0.24
  • 最大连续漏极电流
    2 A
  • 每片芯片元件数目
    1
  • 类别
    功率 MOSFET
  • 通道模式
    增强
  • 通道类型
    N
  • 配置
    单
  • 长度
    4.5mm
  • 高度
    1.5mm
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