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RLP1N08LE

更新时间:2025-06-17 03:53:03

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深圳市优尚半导体科技有限公司
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RLP1N08LE 概述

RLP1N08LE是罗姆（ROHM）半导体公司生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅极结构，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种电源管理应用。其最大漏源电压为80V，适合在中等功率等级的DC-DC转换器、电机驱动电路以及负载开关电路中使用。RLP1N08LE封装形式紧凑，有助于提高电路板的空间利用率，同时降低整体系统成本。由于其良好的热稳定性和可靠性，这款MOSFET也广泛应用于汽车电子领域，如车身控制模块、座椅调节系统等。在实际应用时，建议注意散热设计以确保长期稳定运行，并遵循数据手册中的电气参数进行合理选型和电路布局。

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