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RMW200N03TB

更新时间:2025-05-27 08:28:28
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RMW200N03TB外观图

RMW200N03TB

ROHM Semiconductor FET - 单

MOSF N CH 30V 20A PSOP8

  • 封装:8-SMD，扁平引线
RMW200N03TB 规格参数
  • 标准包装
    2,500
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    -
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    20A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    4.2 毫欧 @ 20A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    2.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    29nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    1780pF @ 15V
  • 功率 - 最大
    3W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-SMD，扁平引线
  • 供应商设备封装
    8-PSOP
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    RMW200N03TBTR
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