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RQ1A060ZPTR

更新时间:2025-05-18 23:48:22
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RQ1A060ZPTR外观图

RQ1A060ZPTR

ROHM Semiconductor FET - 单

MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8

  • 封装:TSMT8
RQ1A060ZPTR 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    -
  • FET 型
    MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    12V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    6A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    23 毫欧 @ 6A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    1V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    34nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    2800pF @ 6V
  • 功率 - 最大
    1.5W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TSMT8
  • 供应商设备封装
    TSMT8
  • 包装
    带卷 (TR)
芯知识
2.1万
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广东微尔科技有限公司
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