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RSD150N06TL

更新时间:2025-05-27 03:42:13

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市东鸿鼎业科技有限公司
RSD150N06TL
BOM配单
现货库存齐全，提供BOM一站式配单服务
上传BOM

我要上特价
RSD150N06TL
今日特价
展示实力的机会，更是体现服务的开始！

深圳市优尚半导体科技有限公司
RSD150N06TL
5000
Rohm Semiconductor
MOSFET NCH 60V 15A CPT3/26+
提供BOM一站式配单服务

深圳市星宇佳科技有限公司
RSD150N06TL
90000
ZXV
CPT3/20+
原装现货支持BOM配单服务

深圳市威尔健半导体有限公司
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8500
ROHM/罗姆
SOT252/2025+
原装现货

深圳市安富世纪电子有限公司
RSD150N06TL
6000
ROHM/罗姆
SOT252/23+
原厂代理终端免费提供样品

深圳市威雅利发展有限公司
RSD150N06TL
8000
Rohm Semiconductor
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC63/23+
原厂渠道，现货配单

深圳市正纳电子有限公司
RSD150N06TL
29078
Rohm(罗姆)
-/-
现货十年以上分销商，原装进口件，服务型企业

深圳市能元时代电子有限公司
RSD150N06TL
106956
Rohm Semiconductor
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC63/25+
百分百原装，价格优势可提供技术支持，免费送样品

柒号芯城电子商务(深圳)有限公
RSD150N06TL
8913
ROHM
TO252/23+
柒号芯城，离原厂的距离只有0.07公分

深圳市科翼源电子有限公司
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17000
ROHM
TO252/26+
原装现货

深圳市金泽芯通电子科技有限公
RSD150N06TL
15000
ROHM
TO252/26+
原装现货

深圳市思跃电子有限公司
RSD150N06TL
20000
ROHM
-/-
-

深圳市芯齐壹科技有限公司展会宣传
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25000
ROHM/罗姆
SOT252/2022+
可查官网https//www.icscjh.com/

深圳市宏捷佳电子科技有限公司
RSD150N06TL
60000
ROHM
TO252/2025+
原装现货特价

蓝界科技（深圳）有限公司
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1054
Rohm Semiconductor
CPT3/16+
代理直销，公司原装现货供应

深圳市南科功率半导体有限公司
RSD150N06TL
686868
NK/南科功率
TO252/2025+
南科国产替代

上海驰循电子科技有限公司
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5001
R/ELNAF
CPT3/1834+
原装现货,精专配套,正品BOM表报价

深圳市金嘉锐电子有限公司
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16000
ROHM
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原装优势有货

昂富（深圳）电子科技有限公司
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ROHM/罗姆
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军工单位、研究所指定合供方,一站式解决BOM配单

深圳市誉辉天成电子有限公司
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5000
ROHM/罗姆
-/24+
优势渠道现货,提供一站式配单服务

中山市翔美达电子科技有限公司
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9666
ROHM
SMD/25+
原装特价销售

深圳市金灿利电子科技有限公司
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128000
ROHM
TO252/23+
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深圳市特莱科技有限公司
RSD150N06TL
6000
ROHM/罗姆
TO252/-
特价批量支持

深圳市驰源科技有限公司
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5000
ROHM/罗姆
A/N/22+
一站式配单，只做原装

深圳市河锋鑫科技有限公司
RSD150N06TL
9000
Rohm Semiconductor
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC63/2024+
原厂渠道，现货配单

艾润（香港）电子有限公司
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4400
ROHM
SMD/2018+
原装部分现货量大期货

深圳市永贝尔半导体有限公司
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9200
VB
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只做原装更多数量在途订单

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RSD150N06TL 概述

RSD150N06TL是罗姆半导体(ROHM)生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用D2PAK封装，具有低导通电阻特性，在栅极电压为10V时典型值仅为1.5mΩ。其最大漏源电压(VDS)为60V，连续漏极电流(ID)在25℃下可达到150A。由于这些特性，它广泛应用于电源管理系统中如DC-DC转换器、电机驱动以及电池保护电路等场景。使用时应注意散热设计以确保器件稳定工作，并且在高频率应用中要考虑到其栅极电荷对开关性能的影响。对于电路设计者而言，在进行PCB布局时应尽量减小源极与漏极之间的走线长度来降低寄生电感影响。

RSD150N06TL 规格参数

现有数量
0现货
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
15A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
40 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
18 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
930 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
20W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
CPT3
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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广东微尔科技有限公司

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