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RSD201N10TL

更新时间:2025-05-22 00:38:04

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市芯国创科技有限公司
RSD201N10TL
BOM配单
只做原装，支持账期，提供一站式配单服务
上传BOM

我要上特价
RSD201N10TL
今日特价
展示实力的机会，更是体现服务的开始！

深圳市捷立辉科技有限公司
RSD201N10TL
11980
ROHM/罗姆
TO252/24+
只做原装，原厂原装。合作共赢

深圳晨欣芯讯电子科技有限公司
RSD201N10TL
4500
R
TO252/23+
终端可以免费供样，支持BOM配单

深圳市得捷芯城科技有限公司
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5750
ROHM/罗姆
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原装现货，当天可交货，原型号开票

深圳市威雅利发展有限公司
RSD201N10TL
8000
Rohm Semiconductor
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC63/23+
原厂渠道，现货配单

深圳市富科达科技有限公司
RSD201N10TL
20800
R
TO252/20+
全新原装现货库存特价热卖

蓝界科技（深圳）有限公司
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1054
Rohm Semiconductor
CPT3/16+
代理直销，公司原装现货供应

深圳市赛美科科技有限公司
RSD201N10TL
67430
ROHM
TO252/2025+
一级代理，原装假一罚十价格优势长期供货

深圳市天卓伟业电子有限公司
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8500
R
TO252/2025+
原装现货

深圳市科翼源电子有限公司
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7798
ROHM
TO252/21+
原装现货

深圳市南科功率半导体有限公司
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686868
NK/南科功率
TO252/2025+
南科国产替代

深圳市博洋芯微电子有限公司
RSD201N10TL
7600
ROHM/罗姆
TO252/23+
原装

深圳市河锋鑫科技有限公司
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9000
Rohm Semiconductor
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原厂渠道，现货配单

深圳市能元时代电子有限公司
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百分百原装，价格优势可提供技术支持，免费送样品

深圳市誉辉天成电子有限公司
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5000
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优势渠道现货,提供一站式配单服务

深圳市集创讯科技有限公司
RSD201N10TL
350000
ROHM/罗姆
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假一罚十，原装进口现货供应，长期供货

深圳市金灿利电子科技有限公司
RSD201N10TL
168000
ROHM/罗姆
TO252/23+
全新原装现货/实单价格支持/优势渠道

深圳市威尔健半导体有限公司
RSD201N10TL
8500
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深圳市安富世纪电子有限公司
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6000
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十年配单，只做原装

深圳市君云达电子科技有限公司
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
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48553
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公
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柒号芯城，离原厂的距离只有0.07公分

深圳市星宇佳科技有限公司
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原装现货支持BOM配单服务

深圳市踊跃科技开发有限公司
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原装，提供BOM配单服务

昂富（深圳）电子科技有限公司
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328285
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军工单位、研究所指定合供方,一站式解决BOM配单

深圳市永贝尔半导体有限公司
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只做原装更多数量在途订单

艾润（香港）电子有限公司
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25861
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原装部分现货量大期货

深圳市科鑫美电子有限公司
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9000
Rohm Semiconductor
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深圳市金灿利电子科技有限公司
RSD201N10TL
128000
ROHM
TO252/23+
全新原装现货/优势渠道/提供一站式配单

深圳市特莱科技有限公司
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6000
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限
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50000
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原装，原厂渠道，十年BOM配单专家

深圳市驰源科技有限公司
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5000
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深圳市正川电子有限公司
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提供一站式配单服务

深圳市兴中芯科技有限公司
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Rohm Semiconductor
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC63/25+
全新原装，假一罚十。现货库存

芯德微联（深圳）电子有限公司
RSD201N10TL
6000
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十年配单，只做原装

深圳市盈熙微科技有限公司
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6000
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TO252/22+
原装，提供BOM配单服务

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RSD201N10TL 概述

RSD201N10TL是由ROHM（罗姆）公司生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅极结构，具有低导通电阻特性，适用于高效率的电源管理应用。其最大漏源电压为100V，在栅极驱动电压为10V时，典型导通电阻仅为0.13Ω。此款MOSFET广泛应用于工业设备、通信基站等领域的开关电源电路中，如DC-DC转换器和电池管理系统。在实际应用中，需注意栅极驱动电压的选择以确保完全开启MOSFET，同时要合理设计散热系统避免过热损坏。在电路设计时，可以将该MOSFET与合适的控制IC配合使用，实现高效的能量转换。例如，在同步整流电路中，可利用其快速开关特性提高整体转换效率。

RSD201N10TL 规格参数

现有数量
0现货
系列
-
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
46 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
55 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2100 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
850mW（Ta），20W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
CPT3
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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广东微尔科技有限公司

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