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RSQ025P03HZGTR

更新时间:2025-06-17 20:35:52

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RSQ025P03HZGTR 概述

RSQ025P03HZGTR是罗姆半导体(ROHM Semiconductor)生产的一款低导通电阻N沟道MOSFET。该器件采用小型SOT-23封装，具有超低的导通电阻特性，在30V电压下的典型值仅为25mΩ，有助于降低电路功耗并提高效率。主要应用于DC-DC转换器、负载开关和电池保护电路等需要高效功率管理的场合。由于其低栅极电荷和快速开关特性，特别适合用于便携式设备如智能手机、平板电脑等对能效要求较高的应用中。在实际设计时，建议关注PCB布局以确保良好的散热性能，并遵循制造商推荐的驱动电路设计来优化开关性能。

RSQ025P03HZGTR 规格参数

现有数量
1,021现货
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
110 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
4.4 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
320 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
950mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TSMT6（SC-95）
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

芯知识

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