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RW1C015UNT2R

更新时间:2025-06-14 08:29:35
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RW1C015UNT2R 规格参数
  • 现有数量
    0现货
  • 系列
    -
  • 包装
    卷带（TR）
  • 产品状态
    停产
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    1.5A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    1.5V，4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    180 毫欧 @ 1.5A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    1V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    1.8 nC @ 4.5 V
  • Vgs（最大值）
    ±10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    110 pF @ 10 V
  • FET 功能
    -
  • 功率耗散（最大值）
    400mW（Ta）
  • 工作温度
    150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 供应商器件封装
    6-WEMT
  • 封装/外壳
    6-SMD，扁平引线
芯知识
2.1万
视频广告作为自主零售终端的“能量心脏”，HVP6-24S12始终稳供不宕机！
广东微尔科技有限公司
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