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RW1C020UNT2R

更新时间:2025-06-15 07:08:42
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RW1C020UNT2R外观图

RW1C020UNT2R

ROHM Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6

  • 封装:6-WEMT
RW1C020UNT2R 规格参数
  • 标准包装
    8,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    -
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    2A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    105 毫欧 @ 2A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    1V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    2nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    180pF @ 10V
  • 功率 - 最大
    700mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    6-WEMT
  • 供应商设备封装
    6-WEMT
  • 包装
    带卷 (TR)
芯知识
2.1万
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广东微尔科技有限公司
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