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SCT3080KLGC11

更新时间:2025-06-10 14:05:09

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市创芯联盈电子有限公司
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中山市翔美达电子科技有限公司
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深圳市杰兴伟业电子有限公司
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TO247AC3/23+
一级代理商可提供技术方案支持

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百分百原装环保现货只做原装

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深圳市得捷芯城科技有限公司
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蓝界科技（深圳）有限公司
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深圳市华普冠科电子科技有限公
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SCT3080KLGC11 概述

SCT3080KLGC11是ROHM Semiconductor生产的一款碳化硅（SiC）功率MOSFET。该器件专为高效能电力转换应用设计，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频操作。其最大漏源电压为1200V，适合于高压应用环境。典型应用场景包括电动汽车充电器、光伏逆变器和工业电源等需要高效率与高可靠性的场合。在实际应用中，建议使用适当的栅极驱动电路以确保MOSFET能够稳定工作，并且要注意散热设计以维持器件在安全工作温度范围内。例如，在设计电动汽车直流快充系统时，可以采用并联多个SCT3080KLGC11来提高整体电流处理能力，同时配合高效的散热器和风扇冷却系统，确保设备长时间稳定运行。注意遵循制造商提供的电气参数进行电路设计，避免超出额定值导致器件损坏。

SCT3080KLGC11 规格参数

现有数量
450现货
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
31A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
104 毫欧 @ 10A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5.6V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
60 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
+22V，-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
785 pF @ 800 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
165W（Tc）
工作温度
175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247N
封装/外壳
TO-247-3

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苏州固锝电子股份有限公司

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