SCTWA50N120-4

更新时间:2025-05-17 20:56:47

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SCTWA50N120-4 概述

SCTWA50N120-4是由STMicroelectronics生产的高性能功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅极结构，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于高效能电源转换应用。其最大漏源电压（Vds）为1200V，连续漏电流（Id）可达50A，非常适合高压高频的应用环境。这款MOSFET常见于工业电源、不间断电源系统（UPS）、太阳能逆变器以及电动车辆充电设备等场景。在电路设计中，建议搭配适当的散热装置以确保最佳工作温度，并且需要仔细选择驱动电阻值来优化开关性能，避免不必要的损耗。使用时应注意防止静电损坏，推荐在专业环境下进行焊接和组装操作。

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