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SH8J66TB1

更新时间:2025-06-04 18:24:28
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SH8J66TB1外观图

SH8J66TB1

ROHM Semiconductor FET - 阵列

MOSFET P-CH DUAL 30V 9A SOP8

  • 封装:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
SH8J66TB1 规格参数
  • 特色产品
    ECOMOS? Series MOSFETs
  • 标准包装
    2,500
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    -
  • FET 型
    2 个 P 沟道（双）
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    9A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    18.5 毫欧 @ 9A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    2.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    35nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    3000pF @ 10V
  • 功率 - 最大
    2W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装
    8-SOP
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    SH8J66TB1TR
芯知识
3.0万
视频广告HGLS1系列模块电源作为光伏电站的”心脏起搏器”，就相当于光伏储能汇流箱监测系统中的“充电宝”！
广东微尔科技有限公司
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