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SH8M4TB1

更新时间:2025-05-17 03:33:50
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SH8M4TB1外观图

SH8M4TB1

ROHM Semiconductor FET - 阵列

MOSFET N+P 30V 9A/7A 8-SOIC

  • 封装:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
SH8M4TB1 规格参数
  • 产品培训模块
    MOSFETs
  • 特色产品
    ECOMOS? Series MOSFETs
  • 标准包装
    2,500
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    -
  • FET 型
    N 和 P 沟道
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    9A，7A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    18 毫欧 @ 9A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    2.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    15nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    1190pF @ 10V
  • 功率 - 最大
    2W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装
    8-SOICN
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    SH8M4TB1TRSP8M4TBSP8M4TBTRSP8M4TBTR-ND
SH8M4TB1 Datasheet数据手册 PDF下载
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