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SI2304DS

更新时间:2025-07-03 21:10:44
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SI2304DS 规格参数
  • 典型关断延迟时间
    18 ns
  • 典型接通延迟时间
    4 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs
    4.6 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds
    147 pF V @ 10
  • 安装类型
    表面贴装
  • 宽度
    1.4mm
  • 封装类型
    TO-236AB
  • 尺寸
    3 x 1.4 x 1mm
  • 引脚数目
    3
  • 最低工作温度
    -65 °C
  • 最大功率耗散
    830 mW
  • 最大栅源电压
    ±20 V
  • 最大漏源电压
    30 V
  • 最大漏源电阻值
    0.177
  • 最大连续漏极电流
    1.7 A
  • 最高工作温度
    +150 °C
  • 每片芯片元件数目
    1
  • 类别
    功率 MOSFET
  • 通道模式
    增强
  • 通道类型
    N
  • 配置
    单
  • 长度
    3mm
  • 高度
    1mm
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