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SI3139KDW-TP

更新时间:2025-05-16 01:07:22
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SI3139KDW-TP 规格参数
  • 现有数量
    0现货
  • 系列
    -
  • 包装
    散装
  • 产品状态
    停产
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 配置
    2 个 P 沟道（双）
  • FET 功能
    -
  • 漏源电压（Vdss）
    20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    660mA
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    520 毫欧 @ 1A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    1.1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    -
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    175pF @ 16V
  • 功率 - 最大值
    150mW（Ta）
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商器件封装
    SOT-363
芯知识
3.1万
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广东微尔科技有限公司
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