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SI3443DV

更新时间:2025-05-17 19:44:03
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SI3443DV外观图

SI3443DV

International Rectifier FET - 单

MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP

  • 封装:6-LSOP（0.063"，1.60mm 宽）
SI3443DV 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    HEXFET®
  • FET 型
    MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    4.4A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    65 毫欧 @ 4.4A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    15nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    1079pF @ 10V
  • 功率 - 最大
    2W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    6-LSOP（0.063"，1.60mm 宽）
  • 供应商设备封装
    Micro6?（TSOP-6）
  • 包装
    管件
  • 其它名称
    *SI3443DV
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