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SI3872DV-T1

更新时间:2025-07-04 19:29:36
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SI3872DV-T1 规格参数
  • 制造商
    Vishay
  • 产品种类
    MOSFET
  • 晶体管极性
    N and P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
    30 V, 20 V
  • 漏极连续电流
    2.5 A, 1.8 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
    0.085 Ohms, 0.16 Ohms
  • 配置
    Dual
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    TSOP-6
  • 封装
    Reel
  • 栅极电荷 Qg
    2.1 nC, 2.7 nC
  • 功率耗散
    1.15 W
  • 工厂包装数量
    3000
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