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SI3900DV-T1-GE3

更新时间:2025-07-12 13:55:15
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SI3900DV-T1-GE3 规格参数
  • 数据列表
    SI3900DV
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    TrenchFET®
  • FET 型
    2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    2A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    125 毫欧 @ 2.4A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    4nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    -
  • 功率 - 最大
    830mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
  • 供应商设备封装
    6-TSOP
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    SI3900DV-T1-GE3TR
芯知识
5.4万
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广东微尔科技有限公司
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