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SI8275DB-IS1R

更新时间:2025-06-09 07:33:08
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SI8275DB-IS1R 规格参数
  • 现有数量
    0现货
  • 系列
    Si827x
  • 包装
    卷带（TR）
  • 产品状态
    在售
  • 技术
    射频耦合
  • 通道数
    2
  • 电压 - 隔离
    2500Vrms
  • 共模瞬变抗扰度（最小值）
    150kV/μs
  • 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）
    60ns，60ns
  • 脉宽失真（最大）
    8ns
  • 上升/下降时间（典型值）
    10.5ns，13.3ns
  • 电流 - 输出高、低
    1.8A，4A
  • 电流 - 峰值输出
    4A
  • 电压 - 正向 (Vf)（典型值）
    -
  • 电流 - DC 正向 (If)（最大值）
    -
  • 电压 -?输出供电
    4.2V ~ 30V
  • 工作温度
    -40°C ~ 125°C
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装
    16-SOIC
  • 认证机构
    CQC，CSA，UR，VDE
芯知识
5.4万
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广东微尔科技有限公司
SI8275DB-IS1R推荐型号
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