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SI8481DB-T1-E1

更新时间:2025-05-17 00:33:00
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SI8481DB-T1-E1 规格参数
  • 现有数量
    0现货查看交期
  • 系列
    TrenchFET? Gen III
  • 包装
    卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态
    在售
  • FET 类型
    P 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    9.7A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    1.8V，4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    21 毫欧 @ 3A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    900mV @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    47 nC @ 4.5 V
  • Vgs（最大值）
    ±8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    2500 pF @ 10 V
  • FET 功能
    -
  • 功率耗散（最大值）
    2.8W（Tc）
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 供应商器件封装
    4-MICRO FOOT?（1.6x1.6）
  • 封装/外壳
    4-UFBGA
芯知识
3.4万
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广东微尔科技有限公司
SI8481DB-T1-E1推荐型号
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