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SI8499DB-T2-E1

更新时间:2025-05-16 01:58:03
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SI8499DB-T2-E1 规格参数
  • 制造商
    Vishay
  • 晶体管极性
    P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
    - 20 V
  • 闸/源击穿电压
    12 V
  • 漏极连续电流
    - 7.8 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
    0.026 Ohms at - 4.5 V
  • 配置
    Single
  • 最大工作温度
    + 125 C
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    Micro Foot-6
  • 封装
    Reel
  • 下降时间
    30 nS
  • 正向跨导 gFS（最大值/最小值）
    10 S
  • 栅极电荷 Qg
    20 nC
  • 最小工作温度
    - 55 C
  • 功率耗散
    2.77 W
  • 上升时间
    10 nS
  • 典型关闭延迟时间
    55 nS
芯知识
4.3万
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广东微尔科技有限公司
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