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SI8802DB-T2-E1

更新时间:2025-05-17 08:56:19
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SI8802DB-T2-E1 规格参数
  • 制造商
    Vishay
  • 产品种类
    MOSFET
  • 晶体管极性
    N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
    8 V
  • 闸/源击穿电压
    5 V
  • 漏极连续电流
    3.5 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
    0.044 Ohms
  • 配置
    Single
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    Micro Foot-4
  • 封装
    Reel
  • 正向跨导 gFS（最大值/最小值）
    13 S
  • 栅极电荷 Qg
    4.3 nC
  • 功率耗散
    0.9 W
芯知识
2.0万
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广东微尔科技有限公司
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