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SIA413DJ-T1-E3

更新时间:2025-05-26 01:15:33
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SIA413DJ-T1-E3 规格参数
  • 制造商
    Vishay
  • 产品种类
    MOSFET
  • 晶体管极性
    P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
    12 V
  • 闸/源击穿电压
    +/- 8 V
  • 漏极连续电流
    10 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
    29 mOhms
  • 配置
    Single
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    PowerPAK SC-70-6L
  • 封装
    Reel
  • 下降时间
    40 ns
  • 最小工作温度
    - 55 C
  • 功率耗散
    3.5 W
  • 上升时间
    40 ns, 12 ns
  • 工厂包装数量
    3000
  • 典型关闭延迟时间
    65 ns, 70 ns
  • 零件号别名
    SIA413DJ-E3
芯知识
5.1万
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广东微尔科技有限公司
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