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SIA445EDJ-T1-GE3

更新时间:2025-05-19 10:24:25
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SIA445EDJ-T1-GE3 规格参数
  • 制造商
    Vishay
  • 产品种类
    MOSFET
  • 晶体管极性
    P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
    20 V
  • 漏极连续电流
    - 12 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
    0.0165 Ohms
  • 配置
    Single
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    SC-70-6L
  • 封装
    Reel
  • 最小工作温度
    - 55 C
  • 功率耗散
    19 W
  • 零件号别名
    SIA445EDJ-GE3
芯知识
3.1万
视频广告HGLS1系列模块电源作为光伏电站的”心脏起搏器”，就相当于光伏储能汇流箱监测系统中的“充电宝”！
广东微尔科技有限公司
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