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SIA456DJ-T3-GE3

更新时间:2025-06-18 17:51:00
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SIA456DJ-T3-GE3 规格参数
  • 现有数量
    0现货查看交期
  • 系列
    TrenchFET?
  • 包装
    卷带（TR）
  • 产品状态
    在售
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    1.1A（Ta），2.6A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    1.8V，4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    1.38 欧姆 @ 750mA，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    1.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    14.5 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）
    ±16V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    350 pF @ 100 V
  • FET 功能
    -
  • 功率耗散（最大值）
    3.5W（Ta），19W（Tc）
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 供应商器件封装
    PowerPAK? SC-70-6
  • 封装/外壳
    PowerPAK? SC-70-6
芯知识
3.1万
视频广告HGLS1系列模块电源作为光伏电站的”心脏起搏器”，就相当于光伏储能汇流箱监测系统中的“充电宝”！
广东微尔科技有限公司
SIA456DJ-T3-GE3推荐型号
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