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SIA907EDJT-T1-GE3

更新时间:2025-07-04 04:28:20
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SIA907EDJT-T1-GE3 规格参数
  • 制造商
    Vishay
  • 产品种类
    MOSFET
  • 晶体管极性
    P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
    - 20 V
  • 闸/源击穿电压
    12 V
  • 漏极连续电流
    4.5 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
    0.047 Ohms
  • 配置
    Dual
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    PowerPAK SC-70-6L
  • 封装
    Reel
  • 下降时间
    10 ns
  • 正向跨导 gFS（最大值/最小值）
    11 S
  • 栅极电荷 Qg
    15 nC
  • 功率耗散
    7.8 Watts
  • 上升时间
    10 ns
  • 典型关闭延迟时间
    30 ns
  • 零件号别名
    SIA907EDJT-GE3
芯知识
3.1万
视频广告HGLS1系列模块电源作为光伏电站的”心脏起搏器”，就相当于光伏储能汇流箱监测系统中的“充电宝”！
广东微尔科技有限公司
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