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SIA921EDJ-T4-GE3

更新时间:2025-07-03 19:48:05
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SIA921EDJ-T4-GE3 规格参数
  • 现有数量
    0现货查看交期
  • 系列
    TrenchFET?
  • 包装
    卷带（TR）
  • 产品状态
    在售
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 配置
    2 个 P 沟道（双）
  • FET 功能
    逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）
    20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    4.5A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    59 毫欧 @ 3.6A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    1.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    23nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    -
  • 功率 - 最大值
    7.8W
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    PowerPAK? SC-70-6 双
  • 供应商器件封装
    PowerPAK? SC-70-6 双
芯知识
3.1万
视频广告HGLS1系列模块电源作为光伏电站的”心脏起搏器”，就相当于光伏储能汇流箱监测系统中的“充电宝”！
广东微尔科技有限公司
SIA921EDJ-T4-GE3推荐型号
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