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SIF18N65F

更新时间:2025-06-08 12:22:46

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SIF18N65F 概述

SIF18N65F是由Silan（士兰微电子）生产的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的平面栅工艺制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于高频高效的应用场景。其最大漏极-源极电压为650V，连续漏极电流可达18A，非常适合用于电源转换器、逆变器和电机驱动等电力电子设备中。在具体应用时，推荐使用适当的散热措施以确保器件稳定运行。电路设计中应注意栅极驱动电路的设计，保证足够的驱动电压以减小导通电阻，提高整体效率。此外，在PCB布局时应尽量缩短高频节点间的走线长度，减少寄生电感的影响。

芯知识

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