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SIHB16N50C-E3

更新时间:2025-06-13 08:48:12
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SIHB16N50C-E3 规格参数
  • 制造商
    Vishay
  • 产品种类
    MOSFET
  • 晶体管极性
    N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
    500 V
  • 闸/源击穿电压
    +/- 30 V
  • 漏极连续电流
    16 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
    0.38 Ohms at 10 V
  • 配置
    Single
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    TO-263
  • 下降时间
    31 nS
  • 正向跨导 gFS（最大值/最小值）
    3 S
  • 栅极电荷 Qg
    68 nC
  • 最小工作温度
    - 55 C
  • 功率耗散
    38 W
  • 上升时间
    156 nS
  • 典型关闭延迟时间
    29 nS
芯知识
4.1万
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广东微尔科技有限公司
SIHB16N50C-E3推荐型号
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