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SIHB8N50D-GE3

更新时间:2025-05-24 09:23:53
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SIHB8N50D-GE3 规格参数
  • 现有数量
    0现货查看交期
  • 系列
    -
  • 包装
    管件
  • 产品状态
    在售
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    500 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    8.7A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    850 毫欧 @ 4A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    30 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）
    ±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    527 pF @ 100 V
  • FET 功能
    -
  • 功率耗散（最大值）
    156W（Tc）
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 供应商器件封装
    TO-263（D2Pak）
  • 封装/外壳
    TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
芯知识
3.8万
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广东微尔科技有限公司
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