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SIHFR1N60AT

更新时间:2025-06-10 10:06:15

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深圳市优尚半导体科技有限公司
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SIHFR1N60AT 概述

SIHFR1N60AT是由Vishay公司生产的高压MOSFET，专为高效功率转换应用设计。它采用TO-251封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频开关电源、DC-DC转换器和逆变器等场合。该器件的最大漏源电压为600V，能够承受较高的电压应力，在高可靠性要求的应用中表现出色。其栅极电荷较低，有助于降低驱动损耗并提高整体系统效率。在实际应用中，建议将SIHFR1N60AT用于需要高电压处理能力和良好热性能的电路中。设计时需注意合适的栅极驱动电路，以确保可靠开启和关闭MOSFET。此外，应考虑适当的散热措施，如使用散热片或风扇，以保持器件工作温度在安全范围内。对于初学者而言，可以参考典型应用电路，如半桥或全桥拓扑结构，进行电路搭建与测试。

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