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SIHG32N50D-GE3

更新时间:2025-05-22 13:51:44
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SIHG32N50D-GE3 规格参数
  • 标准包装
    500
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    -
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    30A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    150 毫欧 @ 16A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    92nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    2550pF @ 100V
  • 功率 - 最大
    390W
  • 安装类型
    *
  • 封装/外壳
    *
  • 供应商设备封装
    *
  • 包装
    *
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