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SIHG33N65E-GE3

更新时间:2025-06-12 09:50:52

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SIHG33N65E-GE3 概述

SIHG33N65E-GE3是英飞凌公司生产的一款高压功率MOSFET。该器件采用TO-247封装，具有650V的漏源电压耐受能力，适用于各种高压应用场合。其连续漏极电流可达33A，导通电阻较低，有助于减少功耗并提高系统效率。这款MOSFET广泛应用于开关电源、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及工业电机驱动等需要高效能量转换和控制的应用场景中。在实际使用时，应注意栅极驱动电路的设计，以确保MOSFET能够在最佳条件下工作，避免因不当操作导致的损坏或性能下降。此外，在高功率应用中应考虑适当的散热措施，保证器件稳定运行。

SIHG33N65E-GE3 规格参数

现有数量
0现货查看交期
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
32.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
105 毫欧 @ 16.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
173 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4040 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
313W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247AC
封装/外壳
TO-247-3

芯知识

5.3万

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广东微尔科技有限公司

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